財聯社6月15日訊（編輯史正丞）日本重回半導體行業(yè)的夢想又有了新的進展。根據《日本經濟新聞》報道，在日美合作機制框架下，日本本土的2納米芯片工廠快將在2025財年投產，商業(yè)化速度與業(yè)界領先的臺積電、三星、英特爾處于同一水平。

據悉，在兩國政府的多項雙邊機制推動下，日本和美國的私營企業(yè)可能會組建合資公司，此外日本的本土半導體產業(yè)也可能設立一個新的制造業(yè)中心，這部分的研發(fā)和資本支出也能獲得日本經濟產業(yè)省真金白銀的補貼。

追趕業(yè)界快速度

一般而言，更小的制程能夠在更小的能耗下提供更強的性能，2納米芯片被視為推出下一代量子電腦、數據中心和智能手機的關鍵一環(huán)。

目前臺積電的2nm晶圓廠預期在今年三季度開工建設，并于2024年底投產。換帥后奮起直追的英特爾在今年四月宣布公司的18A制程（1.8納米）將提前至2024年底投產。三星此前曾表示2025年實現量產2nm制程。

雖然日本企業(yè)在半導體材料領域具有重要地位，但優(yōu)勢集中在與液體（流體）有關的化學材料和設備上。雖然本土也有瑞薩電子這樣的汽車半導體大廠，但主要產能局限在40納米，更先進的制程則需要交給臺積電生產。

雖然臺積電和索尼已經宣布在日本熊本縣合作建立“日積電”，不過這座新工廠的工藝制程局限在10-20納米。雖然能夠補上“關鍵芯片本土生產”的空缺，但有“一步到位”的機會日本顯然不會錯過。

屢次表達“抱大腿”意愿

根據報道，日美雙方的聯合研發(fā)將在今年夏天開始，研發(fā)和生產中心可能會在2025至2027財年中落成。今年五月，日美兩國政府已經簽訂了半導體合作的基本框架，后續(xù)的細節(jié)將會在即將舉行的“2+2”經濟官員會談中繼續(xù)討論。

在日本內閣上周批準的“新資本主義”日程表中，也提到在2030年前通過與美國的雙邊合作，建立設計和制造基地。

日本產業(yè)技術綜合研究所已經在日本筑波市的實驗室組織行業(yè)合作，研發(fā)先進半導體生產所需的技術，其中也包括2納米制程，東京電子、佳能、IBM、英特爾和臺積電都有參與。